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简要描述：国仪量子超高分辨分析型一体机场发射扫描电子显微镜SEM5000Ultra，兼具低压高分辨和大束流分析。凭借全电压范围出色的分辨率，支持大束流快速高分辨率分析，从换样到出图仅需一键，为前沿科研与半导体提供关键样品的极简、高效、高清成像。
产品型号：5000Ultra厂商性质：生产厂家更新时间：2026-10-28访 问 量：1
详细介绍
外置光学导航加一键成像功能，从放样到出图仅需一键，立得清晰图像，效率倍增，简单易用，人人皆可获取高质量数据。
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是必要的排查手段。
SEM5000Ultra/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000Ultra/DRAM/15 kV/Inlens
SEM5000UItra/7 nm FinFET平面/30 kV/BSED
SEM5000Ultra/5 nm FinFET 截面/30 kV/STEM-BF
在生命科学研究中，组织超薄切片STEM成像，成为生物超微结构观察、标记定位、三维断层成像、硬组织与病理分析的关键手段。
SEM5000Ultra/线粒体双层膜/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
SEM5000Ultra/髓鞘/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
在功能与新材料的研发中，微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具，可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM5000Ultra/干法隔膜/0.02 kV/Inlens
SEM5000Ultra/氧化铝/0.1 kV/Inlens
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000Ultra/镍合金/20 kV/EDS
SEM5000Ultra/泡沫镍/20 kV/EDS
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000Ultra/Au-In₂ O₃/0.1 kV/Inlens
SEM5000Ultra/ZIF 67/1 kV/ETD
| 关键参数: | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.5 nm @ 15 kV，SE | |
| 0.8 nm @ 1 kV，SE | ||
| 0.7 nm @ 1 kV，SE (样品台减速) | ||
| 1.0 nm@0.5 kV，SE | ||
| 1.9 nm@15 kV, 5 nA，WD=8.5 mm | ||
| 0.4 nm@30kV，STEM | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 电子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可选) | |
| 位移台(大行程可选): | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器: | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展: | 样品台减速模式 | ○ |
| 样品交换仓 | ● | |
| 旋钮板&轨迹球 | ● | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
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