标配光纤耦合CMOS相机
1:1光纤耦合的1600万像素CMOS相机，电影级成像体验
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简要描述：国仪量子200kV场发射透射电镜TEM-F200，专为材料科学和半导体用户打造，具备出色的高分辨成像与高灵敏度元素分析能力，灵活的配置方案使其可以胜任复杂的科研和工业应用场景。
产品型号：TEM-F200厂商性质：生产厂家更新时间：2026-10-28访 问 量：4
详细介绍
FinFET器件的高分辨透射电子显微镜（HRTEM）图像，可用于观察器件局部纳米结构及晶格条纹细节。
半导体存储芯片截面的明场透射电子显微镜图像。图中可见多层薄膜与介质层构成的器件结构。
航空航天用7075铝合金TEM（左）和HAADF（右）图像。可见晶内析出相及不连续的晶界析出相。
FeNi纳米颗粒的高分辨晶格像。颗粒整体呈近圆形，图中可见清晰的晶格条纹；对颗粒局部区域进行快速傅里叶变换（FFT）后，呈现规则排列的单晶衍射点，表明该区域具有良好的结晶性。
| 加速电压： | 20~200kV |
| 信息分辨率： | 0.10nm |
| 点分辨率： | 0.25nm |
| STEM分辨率： | 0.16nm |
| STEM成像模式： | HAADF, ADF, ABF |
| 放大倍数： | 20x~1,200kx |
| Super-EDS (可选)： | 双100mm2 无窗SDD，对称布置，能量分辨率≤127eV |
| 可选配置： | EELS, 4D-STEM, 3D-ED, 原位样品杆 |
国仪量子200kV场发射透射电镜TEM-F200
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